Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratios in Ge-based vertical spin-valve devices with Co2FeSi
Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratios in Ge-based vertical spin-valve devices with Co2FeSi
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Co2FeSi Ge基垂直自旋阀器件的室温两端磁阻比
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kohei Hamaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Michihiro Yamada;Atsuya Yamada;Takamasa Usami;Shinya Yamada;Kentarou Sawano;Kohei Hamaya
