LIQUID-PHASE EPITAXY
LIQUID-PHASE EPITAXY
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DOI：
10.1007/bf00323650
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发表时间：
1991-06-01
影响因子：
2.7
通讯作者：
KUPHAL, E
中科院分区：
文献类型：
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作者：
KUPHAL, E
本文对半导体液相外延（LPE）方法进行了全面的回顾。 昆虫。 1 详细讨论了包括扩散限制生长和固液相图在内的物理原理。 昆虫。描述了 2 个技术方面和各种生长系统（包括工业版本）。 第 3 节总结了 LPE 生长层的相关特性。 第 4 节包含 LPE 在材料系统 InP/InGaAs/InGaAsP 作为模型系统中的应用。 昆虫。 5 与竞争方法相比，讨论了 LPE 在设备应用方面的优点和缺点，最后我们尝试预测 LPE 的未来方向。
This paper presents a comprehensive review of the method of liquid phase epitaxy (LPE) of semiconductors. In Sect. 1 the physical principles including diffusion-limited growth and solid-liquid phase diagrams are treated in detail. In Sect. 2 technological aspects and various kind of growth systems including industrial versions are described. Section 3 summarizes the relevant properties of LPE grown layers. Section 4 contains the application of LPE to the material system InP/InGaAs/InGaAsP as a model system. In Sect. 5 the advantages and weaknesses of LPE with respect to device applications in comparison with competing methods are discussed, and finally we attempt to predict the future direction of LPE.