「ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-」編、分担:半導体薄膜およびヘテロ界面の原子構造評価～SiCを例に～
「ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-」編、分担:半導体薄膜およびヘテロ界面の原子構造評価～SiCを例に～
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《后硅半导体-纳米沉积动力学和衬底/界面效应-》编辑投稿：半导体薄膜和异质界面的原子结构评估-以SiC为例-
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他(2名)
中科院分区：
文献类型：
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作者：
着本享;他(2名)
