石田秀俊: "プラズマCVD法による3C-SiCの低温成長" 電子情報通信学会、半導体・材料研究報告会. SDM-89-132. 7-12 (1989)
石田秀俊: "プラズマCVD法による3C-SiCの低温成長" 電子情報通信学会、半導体・材料研究報告会. SDM-89-132. 7-12 (1989)
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Hidetoshi Ishida：“通过等离子体 CVD 方法低温生长 3C-SiC”，电子、信息和通信工程师研究所，SDM-89-132 (1989)。
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