Analysis of Pentacene Field-Effect Transistor with a Ferroelectric P (VDF-TeFE) Gate Insulator as an Element of Maxwell-Wagner Effect System
Analysis of Pentacene Field-Effect Transistor with a Ferroelectric P (VDF-TeFE) Gate Insulator as an Element of Maxwell-Wagner Effect System
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具有铁电 P (VDF-TeFE) 栅极绝缘体作为麦克斯韦-瓦格纳效应系统元件的并五苯场效应晶体管的分析
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Iwamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Tamura;S.Yoshita;E.Lim;T.Manaka;M.Iwamoto
