K.Nakajima, N.Hosaka, T.Hattori, K.Kimura: "Surface segregation of Ge during Si growth on Ge/Si(001) at low temperature observed by high-resolution RBS"Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B. 190. 587-591 (2002)
K.Nakajima, N.Hosaka, T.Hattori, K.Kimura: "Surface segregation of Ge during Si growth on Ge/Si(001) at low temperature observed by high-resolution RBS"Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B. 190. 587-591 (2002)
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K.Nakajima、N.Hosaka、T.Hattori、K.Kimura：“通过高分辨率 RBS 观察到低温下在 Ge/Si(001) 上 Si 生长过程中 Ge 的表面偏析”物理研究中的核仪器和方法 B。
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