Fabrication of a field effect transistor structure using charge-ordered organic materials α-(BEDT-TTF)2I3 and α′-(BEDT-TTF)2IBr2

Fabrication of a field effect transistor structure using charge-ordered organic materials α-(BEDT-TTF)2I3 and α′-(BEDT-TTF)2IBr2
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使用电荷有序有机材料α-(BEDT-TTF)2I3和α-(BEDT-TTF)2IBr2制造场效应晶体管结构

DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Synthetic Metals
影响因子：
4.4
通讯作者：
H. Tajima
H. Tajima
中科院分区：
材料科学3区
文献类型：
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作者：
M. Kimata;T. Ishihara;A. Ueda;H. Mori;H. Tajima

文献摘要

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