S.Takahashi: "Subー100nm pattern formation using a novel lithography with SiN_x resis t by focused ion beam exposure and dry‐ething developnent" Journal of Applied Physics. (1992)
S.Takahashi: "Subー100nm pattern formation using a novel lithography with SiN_x resis t by focused ion beam exposure and dry‐ething developnent" Journal of Applied Physics. (1992)
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S. Takahashi：“通过聚焦离子束曝光和干式显影，使用具有 SiN_x 抗蚀剂的新型光刻形成亚 100 纳米图案”《应用物理学杂志》（1992 年）。
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