PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance
PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance
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具有高开/关比和低寄生电阻的 PtGe-源极/漏极 Ge p-MOSFET
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shintaro Tanaka;Yuta Nagatomi;Yuichi Nagaoka;Keisuke Yamamoto;Dong Wang;Hiroshi Nakashima
