Chemical vapor deposition of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
Chemical vapor deposition of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
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利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体化学气相沉积高阻 ZnO 薄膜
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nose;T. Kiguchi;T. Yoshimura;A. Ashida;T. Uehara;and N. Fujimura
