High voltage REBULF LDMOS with N+ buried layer
High voltage REBULF LDMOS with N+ buried layer
复制标题
DOI：
10.1016/j.sse.2010.03.003
复制
发表时间：
2010-07
影响因子：
1.7
通讯作者：
B. Duan;Yintang Yang;Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. Duan;Yintang Yang;Bo Zhang
