MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-
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通过MOS界面的单缺陷电荷泵浦，可以直接观察两性能级的电子俘获过程(1) -两性能级的DOS-
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野行徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
土屋敏章;堀匡寛;小野行徳
