Fabrication and Characterization of A GaAs-based Three-Terminal Nanowire Junction Device Controlled by Double Schottky Wrap Gates
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双肖特基绕栅控制的 GaAs 基三端纳米线结器件的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tatsuya Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang;Tatsuya Nakamura
