Fabrication and characterization of aluminum-doped zinc oxide Schottky diodes on n-GaN
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DOI：
10.1016/j.cap.2012.04.029
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发表时间：
2012-11
影响因子：
2.4
通讯作者：
T. Han;Y. Shi;Hao Wu;Chao Liu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Han;Y. Shi;Hao Wu;Chao Liu
