Low complexity codes for writing a write-once memory twice
Low complexity codes for writing a write-once memory twice
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用于将一次写入存储器写入两次的低复杂度代码
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发表时间：
2010
期刊：
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通讯作者：
Yunnan Wu
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作者：
Yunnan Wu
一次写入存储器（wom）是由许多“一次写入”二进制单元组成的存储介质，其中每个单元最初处于“0”状态，并且可以不可逆地变为“1”状态。一次写入存储器的示例包括SLC闪存和光盘。本文提出了一些低复杂度代码，用于两次写入此类一次性写入存储器。
A write-once memory (wom) is a storage medium formed by a number of “write-once” binary cells, where each cell initially is in a ‘0’ state and can be changed to a ‘1’ state irreversibly. Examples of write-once memories include SLC flash memories and optical disks. This paper presents some low complexity codes for writing such write-once memories twice.