Growth kinetics of oxide precipitates in Czochralski silicon
Growth kinetics of oxide precipitates in Czochralski silicon
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直拉硅中氧化物沉淀的生长动力学
DOI：
10.1016/0022-0248(85)90050-8
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发表时间：
1985
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Wada;N. Inoue
