Ab initio modeling of binary-oxide-based nanomaterials for the next generation nonvolatile memory

Ab initio modeling of binary-oxide-based nanomaterials for the next generation nonvolatile memory
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用于下一代非易失性存储器的二元氧化物纳米材料的从头建模

DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
and Kenji Shiraishi
and Kenji Shiraishi
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Moon Young Yang;Katsumasa Kamiya;and Kenji Shiraishi

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