Siドープp型GaAsSbの正孔散乱機構解析
Siドープp型GaAsSbの正孔散乱機構解析
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Si掺杂p型GaAsSb空穴散射机理分析
DOI:
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发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
横山 春喜
中科院分区:
文献类型:
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作者:
森 友希;横山 春喜