Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy
Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy
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Hf 4f、Si 2p、O 1s 核能谱研究Si(111)表面超薄铪膜的初始氧化过程
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akitaka Yoshigoe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuhiro Kakiuchi;Daisuke Koyama;Akitaka Yoshigoe
