Reliability of thin SiO2
Reliability of thin SiO2
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薄 SiO2 的可靠性
DOI：
10.1088/0268-1242/9/5/002
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发表时间：
1994
影响因子：
1.9
通讯作者：
C. Hu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Schuegraf;C. Hu
本文回顾了薄二氧化硅的可靠性现象。我们讨论了一个用于评估测量的 SiO2 击穿数据的综合框架，该框架能够确保按比例缩放 MOS 技术的内置氧化物可靠性。还回顾了有望提高 SiO2 可靠性的技术改进。我们讨论一个综合的观点来解释关于氧化物磨损和失效过程的许多不同的观察结果。
This article reviews reliability phenomena in thin silicon dioxide. We discuss a comprehensive framework for evaluating measured SiO2 breakdown data which enables assurance of built-in oxide reliability for scaled MOS technologies. Promising technological improvements for improving SiO2 reliability are also reviewed. We discuss an integrative view for explaining the many diverse observations about the process of oxide wear-out and failure.