面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用
面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用
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面内超高密度InAs量子点生长技术及其在半导体激光器中的应用
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口浩一，田中元幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sim jui Oon;Naoya Miyashita;Koichi Yamaguchi;山口浩一，田中元幸
