High quality GaN epitaxial layers grown by modulated beam growth method

High quality GaN epitaxial layers grown by modulated beam growth method
复制标题

调制束生长法生长高质量GaN外延层

DOI:
--
复制
发表时间:
2004
期刊:
Materials Chemistry and Physics 86/1
影响因子:
--
通讯作者:
S.J.Chang
S.J.Chang
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
K.T.Liu;T.Tezuka;S.Sugita;Y.Watari;Y.Horikoshi;Y.K.Su;S.J.Chang

文献摘要

相似文献