Fabri cation of a ZnTe light emitting diode by Al t hermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate
Fabri cation of a ZnTe light emitting diode by Al t hermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate
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通过 Al 热扩散到 p-ZnMgTe 衬底上的 p-ZnTe 外延层中制造 ZnTe 发光二极管
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tooru Tanaka;Katsuhiko Saito;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;and Hiroshi Ogawa
