root 2 step of conductance fluctuations due to the broken time-reversal symmetry in bulk-insulating BiSbTeSe2 devices
root 2 step of conductance fluctuations due to the broken time-reversal symmetry in bulk-insulating BiSbTeSe2 devices
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由于体绝缘 BiSbTeSe2 器件中时间反转对称性被破坏而导致电导波动的根 2 阶
DOI：
10.1063/1.5031013
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发表时间：
2018
影响因子：
4
通讯作者：
Wang Baigeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Shuai;Pan Xing Chen;Li Zhaoguo;Xie Faji;Qin Yuyuan;Cao Lu;Wang Xuefeng;Wang Xinran;Miao Feng;Song Fengqi;Wang Baigeng
