Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors
Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors
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退火处理提高宽波长In0.83Ga0.17As光电探测器的性能
DOI：
10.1016/j.infrared.2015.03.005
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发表时间：
2015
影响因子：
3.3
通讯作者：
Gong Haimei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Ping;Li Tao;Deng Shuangyan;Li Xue;Shao Xiumei;Tang Hengjing;Gong Haimei
