RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
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通过射频感应加热在稍微倾斜的 Si 表面 SiC(0001) 上形成外延石墨烯的温度分布依赖性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
橋本 明弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
和田 拓也;道幸 雄真;今井 宏友;橋本 明弘
