InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistors
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用于高迁移率垂直环栅晶体管的 InAs/InP 核壳纳米线通道
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Tomioka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Gamo;J. Motohisa;K.Tomioka
