S.Shikata,S.Fujii,L.Wei and S.Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy-type defects in Si^+-implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.31. 732-736 (1992)
S.Shikata,S.Fujii,L.Wei and S.Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy-type defects in Si^+-implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.31. 732-736 (1992)
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S.Shikata、S.Fujii、L.Wei 和 S.Tanikawa：“通过慢正电子束研究退火方法对 Si^ 注入 GaAs 中空位型缺陷的影响”Jpn.J.Appl.Phys.31。
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