Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB Free Layer for High Sensitivity Magnetic Sensor Devices
Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB Free Layer for High Sensitivity Magnetic Sensor Devices
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用于高灵敏度磁传感器器件的具有非晶 CoFeSiB 自由层的磁隧道结的制造
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Naganuma and Y. Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Fujiwara;D. Kato;M. Oogane;T. Nishikawa;H. Naganuma and Y. Ando
