Scaling CMOS: Finding the gate stack with the lowest leakage current
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DOI：
10.1016/j.sse.2005.01.018
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发表时间：
2005-05
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Kauerauf;B. Govoreanu;R. Degraeve;G. Groeseneken;H. Maes
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kauerauf;B. Govoreanu;R. Degraeve;G. Groeseneken;H. Maes
