Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates
Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates
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Si (001) 衬底上生长的掺铒 InGaN 合金的光子特性
DOI：
10.1063/1.3556678
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and J.M.Zavada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I.W.Feng;X.K.Cao;J.Li;J.Y.Lin,H.X.Jiang;N.Sawaki;Y.Honda,T.Tanikawa;and J.M.Zavada
