Correlation of Early-Stage Growth Process Conditions with Dislocation Evolution in MOCVD-Based GaP/Si Heteroepitaxy
Correlation of Early-Stage Growth Process Conditions with Dislocation Evolution in MOCVD-Based GaP/Si Heteroepitaxy
复制标题
基于 MOCVD 的 GaP/Si 异质外延中早期生长工艺条件与位错演化的相关性
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2021.126251
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发表时间：
2021
影响因子：
1.8
通讯作者：
Grassman, T.J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Boyer, J.T.;Blumer, A.N.;Blumer, Z.H.;Lepkowski, D.L.;Grassman, T.J.
