Radical Oxidation and Radical Nitridation for High Integrity Gate Insulator Films on Any Crystal Orientation Silicon Surface for Super High Performance 3D MOS Transistors
Radical Oxidation and Radical Nitridation for High Integrity Gate Insulator Films on Any Crystal Orientation Silicon Surface for Super High Performance 3D MOS Transistors
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用于超高性能 3D MOS 晶体管的任何晶体取向硅表面上的高完整性栅极绝缘膜的自由基氧化和自由基氮化
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tadahiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ogura;S. and Nakazono;S.;Tadahiro Ohmi
