Tokuzo Sukegawa et al.: "Growth of GaN layers on a GaP substrate using the compositional conversion technique" Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ.32. 71-74 (1997)
Tokuzo Sukegawa et al.: "Growth of GaN layers on a GaP substrate using the compositional conversion technique" Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ.32. 71-74 (1997)
复制标题
Tokuzo Sukekawa 等人：“使用成分转换技术在 GaP 衬底上生长 GaN 层”静冈大学电子研究所公告 32。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
