p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE
p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE
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通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向取向 (001)Si 衬底上生长的 C 掺杂 (1-101)GaN 中的 p 型传导
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N.Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hikosaka;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;and N.Sawaki
