Measurement of latent tracks in amorphous SiO2 using small angle X-ray scattering
Measurement of latent tracks in amorphous SiO2 using small angle X-ray scattering
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使用小角 X 射线散射测量非晶态 SiO2 中的潜迹
DOI：
10.1016/j.nimb.2008.03.182
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发表时间：
2008
影响因子：
1.3
通讯作者：
M. Ridgway
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Kluth;C. Schnohr;D. Sprouster;A. Byrne;D. Cookson;M. Ridgway
