DEMONSTRATION OF HIGH-SPEED InGaN GROWTH BY TRI-HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY
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通过三卤化物气相外延实现高速 InGaN 生长的演示
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hirasaki;T. Hasegawa;M. Meguro;Q. T. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
