Thermal simulation of the Czochralski silicon growth process by three different models and comparison with experimental results
Thermal simulation of the Czochralski silicon growth process by three different models and comparison with experimental results
复制标题
三种不同模型的直拉硅生长过程的热模拟及与实验结果的比较
DOI：
10.1016/s0022-0248(97)00241-8
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发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
G. Müller
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Dornberger;E. Tomzig;A. Seidl;S. Schmitt;H. Leister;Ch. Schmitt;G. Müller
