Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si
Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si
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硅表面钝化常压等离子体氧化工艺的发展
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他3名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z.T.Zhuo;H.Ohmi;H.Kakiuchi;K.Yasutake;他3名
