Ionization of Rydberg H2 molecules at doped silicon surfaces.
Ionization of Rydberg H2 molecules at doped silicon surfaces.
复制标题
里德伯 H2 分子在掺杂硅表面的电离。
DOI：
10.1063/1.4794691
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sashikesh G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sashikesh G
登录
查看更多内容
氧化 Si(100) 表面氙里德伯原子的电离
影响因子：
1.9
作者：
D. Neufeld;H. R. Dunham;S. Wethekam;J. C. Lancaster;F. Dunning
通讯作者：
F. Dunning
通过微米尺寸狭缝传输里德伯原子来测量原子尺寸
DOI：
10.1088/0022-3700/16/21/009
发表时间：
1983
期刊：
Journal of Physics B
影响因子：
--
作者：
C. Fabre;M. Gross;J. Raimond;S. Haroche
通讯作者：
S. Haroche
细网格上亚单层吸附的激发态原子束研究。
DOI：
10.1103/physreva.38.3918
发表时间：
1988
期刊：
Physical review. A, General physics
影响因子：
--
作者：
Mccown;Taylor;Kocher
通讯作者：
Kocher
存在随时间变化的非均匀场时高里德伯态的动力学
影响因子：
3.4
作者：
Procter;Webb;Softley
通讯作者：
Softley
金属表面里德伯原子电荷转移动力学的波包传播研究
影响因子：
2.9
作者：
E. So;M. T. Bell;T. Softley
通讯作者：
T. Softley