The Transition Mechanisms of Type-II GaSb/GaAs Quantum-Dot Infrared Light-Emitting Diodes
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.109
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发表时间：
2011-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
C. Tseng;Wei-Hsun Lin;S. Wu;Shu-Han Chen;Shih-Yen Lin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Tseng;Wei-Hsun Lin;S. Wu;Shu-Han Chen;Shih-Yen Lin
