Electron and Acoustic Phonon Confinement in Ultrathin-Body Ge on Insulator
Electron and Acoustic Phonon Confinement in Ultrathin-Body Ge on Insulator
复制标题
绝缘体上超薄体 Ge 中的电子和声声子约束
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Geshev and T. Maeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Poborchii;W. H. Chang;T. Irisawa;H. Ishii;H. Hattori;N. Uchida;J. Groenen;P. Geshev and T. Maeda
