Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics

Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics
复制标题

再氧化退火工艺对SiO2/SiC界面特性的影响

DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
Chinese Journal of Semiconductors
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang, Yuming
Zhang, Yuming
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
Jia, Renxu;Tang, Xiaoyan;Song, Qingwen;Zhang, Yuming

文献摘要

相似文献