Ge 量子ドットを成長させたSi 基板の歪みによるX 線横すべり現象
Ge 量子ドットを成長させたSi 基板の歪みによるX 線横すべり現象
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由于生长Ge量子点的Si衬底变形导致的X射线侧滑现象
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
香村芳樹;澤田桂;石川哲也
