M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, U.Gosele: "Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity"Appl.Phys.Lett.. 84. 876-878 (2004)
M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, U.Gosele: "Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity"Appl.Phys.Lett.. 84. 876-878 (2004)
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M.Uematsu、H.Kageshima、Y.Takahashi、S.Fukatsu、K.M.Itoh、K.Shiraishi、U.Gosele：“SiO_2 中 Si 自扩散的建模：Si/SiO_2 界面的影响，包括随时间变化的扩散率”
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