Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers
Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers
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半极性{11-22}InGaN/GaN量子阱有源层中低扩散载流子引起的发光不均匀性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Ueda;A.Kaneta;M.Funato;Y.Kawakami
