Cryogenic thin‐film electron emitters
Cryogenic thin‐film electron emitters
复制标题
低温薄膜电子发射器
DOI：
10.1063/1.1662945
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发表时间：
1974
影响因子：
3.2
通讯作者：
M. Silver
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Onn;P. Smejtek;M. Silver
描述了一种工作在200K和极限临界外加电压(νc)以下的薄膜电子发射器，它工作在与温度无关的稳定区域。给出了电流-电压特性和正态电子能量分布。概述了制造和操作标准。与温度相关的发射体进行了比较，并简要讨论了可能的导电机制。
Thin‐film electron emitters are described, which operate below 200°K and below a limiting critical applied voltage (νc) in a stable temperature‐independent regime. Current‐voltage characteristics and normal electron energy distributions are presented. Fabrication and operation criteria are outlined. Comparison with temperature‐dependent emitters is made, and possible conduction mechanisms discussed briefly.