Impurity-related photovoltaic efficiency of (In,Ga)N/GaN quantum well-single intermediate band solar cell considering heavy hole impact
Impurity-related photovoltaic efficiency of (In,Ga)N/GaN quantum well-single intermediate band solar cell considering heavy hole impact
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考虑重空穴影响的(In,Ga)N/GaN量子阱单中能带太阳能电池的杂质相关光伏效率
DOI：
10.1016/j.spmi.2020.106756
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发表时间：
2020
影响因子：
3.1
通讯作者：
I. Zorkani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Abboudi;H. E. Ghazi;A. Jorio;I. Zorkani
