Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
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使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ikenoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kikuchi;K. Imokawa;A. Ikeda;D. Nakamura;T. Asano;H. Ikenoue
