低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価
低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価
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通过低偏压 ICP-RIE 评估 n-GaN 表面粗糙度
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大槻 秀夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宇﨑 滉太;新海 聡子;大槻 秀夫
